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Technische Details SSM6N15AFU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6N15AFU,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM6N15AFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SSM6N15AFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SSM6N15AFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
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SSM6N15AFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6N15AFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±20V |
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