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SSM6N15AFU,LF(T

SSM6N15AFU,LF(T Toshiba

219docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n15afu.jsptypedatasheetlangen.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
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Technische Details SSM6N15AFU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA 3622449.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SSM6N15AFU,LF(T 3622449.pdf
SSM6N15AFU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SSM6N15AFU,LF(T
SSM6N15AFU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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117+2.14 EUR
178+1.31 EUR
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