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SSM6N15AFU,LF

SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
Produktcode: 178546
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.099 EUR
21000+0.095 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 38544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
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SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba 3C691D5C22F88C8BD046EDE9A5AE58B8855102B7397CEF856EFAC99E0809D2B4.pdf MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
auf Bestellung 238135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
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SSM6N15AFU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
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SSM6N15AFU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 38544 Stücke:
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
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