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Technische Details SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: US6, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6N17FU(TE85L,F) nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V |
auf Bestellung 5230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: US6 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
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