SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 0.74 EUR |
| 47+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: US6, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SSM6N17FU(TE85L,F) nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SSM6N17FU(TE85L,F) | Toshiba |
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V |
auf Bestellung 7808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM6N17FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: US6 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SSM6N17FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
auf Bestellung 7808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.81 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.13 EUR |
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: US6
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
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Bauform - Transistor: US6
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Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)