SSM6N62TU,LXHF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.87 EUR |
| 205+ | 1.13 EUR |
| 319+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
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14-21 Tag (e)
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Technische Details SSM6N62TU,LXHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SSM6N62TU,LXHF(T nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM6N62TU,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6N62TU,LXHF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.87 EUR |
| 205+ | 1.13 EUR |
| 319+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |