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Technische Details SSM6N7002CFU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6N7002CFU,LF(T nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.27nC Version: ESD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6N7002CFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.27nC Version: ESD |
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