
SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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374+ | 0.19 EUR |
581+ | 0.12 EUR |
824+ | 0.09 EUR |
935+ | 0.08 EUR |
1257+ | 0.06 EUR |
1500+ | 0.05 EUR |
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Technische Details SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6N7002KFU,LF(T nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SSM6N7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 19779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002KFU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 19779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002KFU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
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