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Technische Details SSN1N45BTA onsemi
Description: ONSEMI - SSN1N45BTA - Leistungs-MOSFET, B-FET, n-Kanal, 450 V, 500 mA, 3.4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SSN1N45BTA nach Preis ab 0.69 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SSN1N45BTA | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 |
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SSN1N45BTA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET |
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SSN1N45BTA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SSN1N45BTA - Leistungs-MOSFET, B-FET, n-Kanal, 450 V, 500 mA, 3.4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SSN1N45BTA |
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