ST8L60N065DM9 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.65 EUR |
| 10+ | 8.51 EUR |
| 100+ | 6.16 EUR |
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Technische Details ST8L60N065DM9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ST8L60N065DM9 nach Preis ab 5.46 EUR bis 12.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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ST8L60N065DM9 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ST8L60N065DM9 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ST8L60N065DM9 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.7 EUR |
| 10+ | 8.57 EUR |
| 100+ | 6.2 EUR |
| 500+ | 5.87 EUR |
| 1000+ | 5.7 EUR |
| 3000+ | 5.46 EUR |
| ST8L60N065DM9 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)