STB10N95K5 STMicroelectronics
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Technische Details STB10N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
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STB10N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V |
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STB10N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V |
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