STB10NK60ZT4 STMicroelectronics
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Technische Details STB10NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STB10NK60ZT4 nach Preis ab 3.03 EUR bis 8.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| STB10NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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