Technische Details STB10NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STB10NK60ZT4 nach Preis ab 1.58 EUR bis 8.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB10NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STB10NK60ZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.65 EUR |
| 2000+ | 1.58 EUR |
| STB10NK60ZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.95 EUR |
| 10+ | 5.9 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| STB10NK60ZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.96 EUR |
| 10+ | 5.95 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.39 EUR |
| STB10NK60ZT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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