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STB11NK50ZT4

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Produktcode: 188607
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
auf Bestellung 161 Stücke:
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3+8.25 EUR
10+5.44 EUR
50+4.22 EUR
100+3.83 EUR
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMICROELECTRONICS en.CD00003024.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
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40+5.91 EUR
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4 STM en.CD00003024.pdf MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Транзистори
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STB11NK50ZT4 708555208248401cd00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
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40+5.91 EUR
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
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STB11NK50ZT4 708555208248401cd00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
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STB11NK50ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
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MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Транзистори
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