STB12NK80ZT4 STMicroelectronics
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Technische Details STB12NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB12NK80ZT4 nach Preis ab 3.11 EUR bis 8.66 EUR
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB12NK80ZT4 | Hersteller : ST |
07+ TO-263/D2-PAK |
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| STB12NK80ZT4 | Hersteller : ST |
TO-263/D2-PAK |
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STB12NK80ZT4 Produktcode: 131646
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STB12NK80ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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