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STB12NK80ZT4

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB12NK80ZT4 Hersteller : ST en.CD00003379.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
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Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZ
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Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZ
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
verfügbar: 75 m
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20000 m - erwartet 28.08.2026
20000 m - erwartet 03.07.2026
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Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
Produktcode: 181953
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Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
verfügbar: 90 m
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20000 m - erwartet 28.08.2026
30000 m - erwartet 03.07.2026
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DF10S
Produktcode: 174961
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df10s-d.pdf ds17001.pdf DFxxS.pdf
DF10S
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: SMD
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SIL-0.50-WHITE (20AWG) провод в силиконовой изоляции, белый
Produktcode: 163226
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SIL-0.50-WHITE (20AWG) провод в силиконовой изоляции, белый
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід електричний силовий
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600В, зовнішній діаметр: ~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
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3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 43109
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3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 3,3 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
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Mindestbestellmenge: 10
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