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STB12NK80ZT4

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Produktcode: 131646
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
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500+4.99 EUR
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
10+7.68 EUR
100+5.52 EUR
500+5.07 EUR
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 1082 Stücke:
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20+12.52 EUR
30+7.79 EUR
100+5.19 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.22 EUR
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STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB12NK80ZT4 ST en.CD00003379.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
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STB12NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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STB12NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
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STB12NK80ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 1082 Stücke:
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20+12.52 EUR
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100+5.19 EUR
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Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
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