Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STB12NK80ZT4

STB12NK80ZT4

en.CD00003379.pdf
Produktcode: 131646
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STB12NK80ZT4 nach Preis ab 4.16 EUR bis 10.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+4.69 EUR
100+4.66 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
10+7.19 EUR
100+5.18 EUR
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 ST en.CD00003379.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.43 EUR
10+4.69 EUR
100+4.66 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.72 EUR
10+7.19 EUR
100+5.18 EUR
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB12NK80ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZ
Produktcode: 181954
12 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZSilicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZ
Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZSilicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) SCHWARZ
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
verfügbar: 75 m
    erwartet: 50000 m
    • 20000 m - erwartet 10.07.2026
    • 20000 m - erwartet 02.09.2026
    • 10000 m - erwartet
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
    Produktcode: 181953
    12 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROTSilicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
    Silicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROTSilicone-20AWG (0.5mm2-100/0.08TS) ROT
    Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
    Група: Провід монтажний
    Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
    К-сть жил: багатожильний
    Матеріал жил: лужена мідь
    Ізоляція (матеріал): силікон
    Колір: червоний
    Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
    verfügbar: 90 m
      erwartet: 50000 m
      • 30000 m - erwartet 10.07.2026
      • 20000 m - erwartet 02.09.2026
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      DF10S
      Produktcode: 174961
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		DF10S-D.PDF DFxxS.pdf
      DF10S
      Hersteller: SEP
      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
      Gehäuse: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
      Sperrspannung Urev, V: 1000 V
      Durchlassstrom Idir, A: 1 A
      Typ der Diodenbrücke: Einphasig
      Kann ersetzen:: DB101S, DB102S, DB103S, DB104S, DB105S, DB106S, DB107S, DB101GS, DB102GS, DB103G,S DB104GS, DB105GS, DB106GS, DB107GS, DF005S, DF01S, DF02S, DF04S, DF06S, DF08S
      Montage: SMD
      Impulsstrom, A: 30 A
      auf Bestellung 5535 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      SIL-0.50-WHITE (20AWG) провод в силиконовой изоляции, белый
      Produktcode: 163226
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      SIL-0.50-WHITE (20AWG) провод в силиконовой изоляции, белый
      Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
      Група: Провід електричний силовий
      Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
      К-сть жил: багатожильний
      Матеріал жил: лужена мідь
      Ізоляція (матеріал): силікон
      Колір: білий
      Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600В, зовнішній діаметр: ~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (SMD-Widerstand)
      Produktcode: 43109
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (SMD-Widerstand)
      Hersteller: Hitano
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
      Nennwiderstand: 3,3 Ohm
      Toleranz: ±5%
      P Nenn., W: 1 W
      U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
      Bauform: 2512
      auf Bestellung 3050 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+0.029 EUR
      100+0.024 EUR
      1000+0.02 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH