STB13N80K5 STMicroelectronics
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.95 EUR |
| 10+ | 5.84 EUR |
| 25+ | 5.51 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 250+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| 1000+ | 3.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STB13N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB13N80K5 nach Preis ab 3.42 EUR bis 7.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
STB13N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
STB13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
Produkt ist nicht verfügbar |