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STB16N90K5

STB16N90K5 STMicroelectronics

stb16n90k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details STB16N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Weitere Produktangebote STB16N90K5 nach Preis ab 3.38 EUR bis 18.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.41 EUR
36+4.55 EUR
50+4.36 EUR
100+3.97 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMICROELECTRONICS stb16n90k5.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.14 EUR
500+6.4 EUR
1000+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.48 EUR
10+8.38 EUR
100+6.12 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.18 EUR
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
10+8.62 EUR
100+6.24 EUR
500+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STB16N90K5 STB16N90K5 STMICROELECTRONICS stb16n90k5.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
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Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
33+5.41 EUR
36+4.55 EUR
50+4.36 EUR
100+3.97 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STB16N90K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2702 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+8.14 EUR
500+6.4 EUR
1000+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.48 EUR
10+8.38 EUR
100+6.12 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.18 EUR
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Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1223 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+12.82 EUR
10+8.62 EUR
100+6.24 EUR
500+5.87 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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AnzahlPrivatkunde
14+18.37 EUR
20+12.02 EUR
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