STB18NF25 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details STB18NF25 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB18NF25 nach Preis ab 1.07 EUR bis 6.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Gate charge: 29.3nC On-state resistance: 0.165Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 110W Drain-source voltage: 250V Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18NF25 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 2000+ | 1.13 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 2000+ | 1.4 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.45 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.42 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.92 EUR |
| 200+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 3.18 EUR |
| 41+ | 2.09 EUR |
| 53+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 4.27 EUR |
| 65+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 200+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.69 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| STB18NF25 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.18 EUR |
| 63+ | 3.74 EUR |
| 74+ | 2.92 EUR |
| 200+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |