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STB18NF25

STB18NF25 STMicroelectronics

stb18nf25.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details STB18NF25 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf STB18NF25 SMD N channel transistors
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53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
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STB18NF25 STB18NF25 Hersteller : STMicroelectronics 286stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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