STB18NM80 STMicroelectronics
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 3.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STB18NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB18NM80 nach Preis ab 3.18 EUR bis 8.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 800V; 17A; 190W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 190W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 70nC |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| STB18NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |



