Weitere Produktangebote STB20N95K5 nach Preis ab 5.6 EUR bis 13.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 |
auf Bestellung 1202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STB20N95K5 | Hersteller : STM |
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB20N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
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