STB23NM50N STMicroelectronics
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Technische Details STB23NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB23NM50N nach Preis ab 2.73 EUR bis 9.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) |
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STB23NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB23NM50N Produktcode: 59758
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 500 V Idd,A: 17 A JHGF: SMD |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
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