STB23NM50N
Produktcode: 59758
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Hersteller: ST
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 17 A
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB23NM50N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB23NM50N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
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