STB30N65M2AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details STB30N65M2AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB30N65M2AG nach Preis ab 3.5 EUR bis 12.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STB30N65M2AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30N65M2AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 122-126 Tag (e) |
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STB30N65M2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB30N65M2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.95 EUR |
| 10+ | 5.93 EUR |
| 100+ | 4.22 EUR |
| 500+ | 3.5 EUR |
| STB30N65M2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.09 EUR |
| 10+ | 6.24 EUR |
| 100+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 4.02 EUR |
| 1000+ | 3.88 EUR |
| STB30N65M2AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.2 EUR |
| 31+ | 7.57 EUR |
| 100+ | 4.99 EUR |
| 500+ | 4.77 EUR |