Weitere Produktangebote STB30NF10T4 nach Preis ab 0.91 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp |
auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB30NF10T4 | Hersteller : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |