Weitere Produktangebote STB30NF10T4 nach Preis ab 0.68 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp |
auf Bestellung 1941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.68 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.82 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.82 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 1.11 EUR |
| 3000+ | 1.08 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.13 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 1.13 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.83 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 50+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.89 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 2000+ | 1.11 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.72 EUR |
| 82+ | 2.83 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| STB30NF10T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)