STB30NF10T4 STMicroelectronics
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Technische Details STB30NF10T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB30NF10T4 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.99 EUR
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB30NF10T4 Produktcode: 119902
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
STB30NF10T4 SMD N channel transistors |
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STB30NF10T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
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