STB34N65M5

STB34N65M5 STMICROELECTRONICS


2614844.pdf Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details STB34N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2614844.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics dm00049181.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics dm00049181.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics dm00049181.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics dm00049181.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
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STB34N65M5 STB34N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb34n65m5-1850227.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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