STB34N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 4.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STB34N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB34N65M5 nach Preis ab 5 EUR bis 10.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
STB34N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
STB34N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
 |
STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
STB34N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 |
Produkt ist nicht verfügbar |