STB35N65DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 7.74 EUR |
| 10+ | 4.42 EUR |
| 100+ | 4.30 EUR |
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Technische Details STB35N65DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB35N65DM2 nach Preis ab 3.87 EUR bis 8.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STB35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
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