STB40N60M2

STB40N60M2 STMicroelectronics


en.DM00089185.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STB40N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STB40N60M2 nach Preis ab 3.83 EUR bis 9.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B30864CFDE28&compId=STW40N60M2-DTE.pdf?ci_sign=a3af1108d5e1724981bc36b1850b04ae984fbf54 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
250+4.00 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B30864CFDE28&compId=STW40N60M2-DTE.pdf?ci_sign=a3af1108d5e1724981bc36b1850b04ae984fbf54 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
250+4.00 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.10 EUR
10+6.45 EUR
100+4.66 EUR
500+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.35 EUR
23+6.34 EUR
50+5.41 EUR
100+4.37 EUR
200+4.02 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics stp40n60m2-1851419.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+6.97 EUR
100+5.05 EUR
500+4.89 EUR
1000+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807661-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2 STB40N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH