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STB40NF10LT4

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Produktcode: 172505
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+1.73 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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1000+1.81 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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1000+2.26 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics en.CD00002408.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
auf Bestellung 694 Stücke:
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1+6.37 EUR
10+3.19 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.18 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.46 EUR
50+3.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMICROELECTRONICS en.CD00002408.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.97 EUR
49+4.83 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics STB40NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.69 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.81 EUR
2000+1.73 EUR
3000+1.67 EUR
10000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+2.26 EUR
2000+2.03 EUR
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1000+2.26 EUR
2000+2.08 EUR
3000+2.02 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
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10+3.19 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
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32+7.97 EUR
49+4.83 EUR
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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