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STB40NF10LT4


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Produktcode: 172505
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STB40NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
33+2.2 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5 EUR
10+3.26 EUR
100+2.26 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.35 EUR
10+3.48 EUR
100+2.43 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.8 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002408.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB40NF10LT4 Hersteller : STM stb40nf10l.pdf N-channel 100V - 0.028. - 40A - D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STB40NF10L_ST.pdf N-канальний ПТ, Id = 40 А, Ptot, Вт = 150, Udss, В = 100, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300 @ 25, Qg, нКл = 64 @ 4,5 В, Rds = 33 мОм @ 20 А, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. ви
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
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