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STB40NF10LT4

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Produktcode: 172505
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.73 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+1.83 EUR
2000+1.7 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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1000+1.84 EUR
2000+1.76 EUR
3000+1.71 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.31 EUR
2000+2.08 EUR
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.32 EUR
2000+2.13 EUR
3000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics STB40NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.27 EUR
31+2.8 EUR
100+1.95 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.88 EUR
100+2.69 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 STMICROELECTRONICS en.CD00002408.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.84 EUR
50+4.74 EUR
100+3.06 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1000+1.73 EUR
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.83 EUR
2000+1.7 EUR
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STB40NF10LT4 1684683848805177cd000.pdf
STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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STB40NF10LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
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Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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