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STB40NF10LT4

STB40NF10LT4 STMicroelectronics


STB40NF10L.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK
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Technische Details STB40NF10LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STB40NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
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100+ 4.67 EUR
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics stb40nf10l-1850347.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
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100+ 4.71 EUR
250+ 4.6 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.46 EUR
2000+ 3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS29958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STB40NF10LT4
Produktcode: 172505
en.CD00002408.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
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