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STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP STMicroelectronics

6129476363782412dm0015.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB42N60M2-EP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
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10+6.73 EUR
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003685977-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003685977-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
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STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 34A; 250W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MDmesh™
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1000+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
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