STB42N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
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Technische Details STB42N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote STB42N65M5 nach Preis ab 9.45 EUR bis 39.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STB42N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB42N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-ch 650 Volt 33Amp |
auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB42N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB42N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB42N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.02 EUR |
| STB42N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-ch 650 Volt 33Amp
MOSFETs N-ch 650 Volt 33Amp
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.89 EUR |
| 10+ | 14.52 EUR |
| 100+ | 13.26 EUR |
| 500+ | 12.92 EUR |
| 1000+ | 11.27 EUR |
| STB42N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.75 EUR |
| 11+ | 15.68 EUR |
| 25+ | 14.63 EUR |
| 100+ | 12.48 EUR |
| 250+ | 9.45 EUR |
| STB42N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
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auf Bestellung 1940 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.79 EUR |
| 10+ | 16.55 EUR |
| 100+ | 13.29 EUR |
| STB42N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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| 7+ | 39.31 EUR |
| 10+ | 25.72 EUR |
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