 
STB45N30M5 STMicroelectronics
 Hersteller: STMicroelectronics
                                                Hersteller: STMicroelectronicsDescription: NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis | 
|---|---|
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Technische Details STB45N30M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Mdmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024). 
Weitere Produktangebote STB45N30M5 nach Preis ab 5.33 EUR bis 12.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMicroelectronics |  Description: NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V | auf Bestellung 1900 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
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|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMicroelectronics |  MOSFETs N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package | auf Bestellung 1145 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
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|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |  Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 751 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||
|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |  Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 972 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||
|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMicroelectronics |  Trans MOSFET N-CH 300V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||
| STB45N30M5 | Hersteller : STMicroelectronics |  Trans MOSFET N-CH 300V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||
|   | STB45N30M5 | Hersteller : STMicroelectronics |  Trans MOSFET N-CH 300V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar |