STB45N60DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 4.33 EUR |
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Technische Details STB45N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STB45N60DM2AG nach Preis ab 4.33 EUR bis 12.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB45N60DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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