STB55NF06LT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 7+ | 4.29 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
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Technische Details STB55NF06LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STB55NF06LT4 nach Preis ab 1.92 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 16V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 95W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB55NF06LT4 | Hersteller : ST |
Logic N-MOSFET 55A 60V 95W 0.014Ω STB55NF06L TSTB55NF06L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB55NF06LT4 Produktcode: 28024 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 60 Idd,A: 55 Rds(on), Ohm: 0.018 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/27 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
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STB55NF06LT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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