STB55NF06T4 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details STB55NF06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STB55NF06T4 nach Preis ab 0.63 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp |
auf Bestellung 3763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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