STB55NF06T4 STMicroelectronics
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Technische Details STB55NF06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB55NF06T4 nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB55NF06T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
STB55NF06T4 SMD N channel transistors |
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