STB55NF06T4 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 191+ | 0.93 EUR |
| 192+ | 0.9 EUR |
| 250+ | 0.88 EUR |
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Technische Details STB55NF06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STB55NF06T4 nach Preis ab 0.79 EUR bis 6.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp |
auf Bestellung 3738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STB55NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 188+ | 0.94 EUR |
| 190+ | 0.89 EUR |
| 191+ | 0.86 EUR |
| 192+ | 0.82 EUR |
| 250+ | 0.79 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 2000+ | 1.02 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| 5000+ | 0.96 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.99 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.99 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 2.81 EUR |
| 36+ | 2.42 EUR |
| 45+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp
auf Bestellung 3738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.71 EUR |
| 10+ | 3.75 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.01 EUR |
| 10+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STB55NF06T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)