STB60NF06T4

STB60NF06T4 STMicroelectronics


STB60NF06T4.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Technische Details STB60NF06T4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V.

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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics cd00002319.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics cd00002319.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002319.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics stb60nf06-1850111.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002319.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics cd00002319.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB60NF06T4 STB60NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics cd00002319.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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