STB6N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STB6N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB6N80K5 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.24 EUR
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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| STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V |
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STB6N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V |
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