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STB6N80K5

STB6N80K5 STMicroelectronics

stb6n80k5.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB6N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00085379.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00085379.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 4.5A; Idm: 4.5A; 85W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 4.5A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 1000
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STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; 85W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
39+1.86 EUR
100+1.66 EUR
250+1.54 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
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STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; 85W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhancement
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
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STB6N80K5 STB6N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
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