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STB6N80K5

STB6N80K5 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB6N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STB6N80K5 STB6N80K5 STMICROELECTRONICS en.DM00085379.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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