STB6NK60ZT4 STMicroelectronics
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Technische Details STB6NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STB6NK60ZT4 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6NK60ZT4 Produktcode: 173715
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STB6NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
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