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STB6NK60ZT4

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Produktcode: 173715
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 4606 Stücke:
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500+2.25 EUR
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002937.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
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1+6.33 EUR
10+4.02 EUR
100+2.92 EUR
500+2.39 EUR
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002937.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
auf Bestellung 754 Stücke:
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4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
100+2.9 EUR
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 4606 Stücke:
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54+4.34 EUR
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK60ZT4 816157636236431cd00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB6NK60ZT4 en.cd00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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STB6NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STB6NK60ZT4 SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
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STB6NK60ZT4 SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 4606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.45 EUR
54+4.34 EUR
100+2.98 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.03 EUR
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STB6NK60ZT4 816157636236431cd00002937.pdf
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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 201 Stücke:
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STB6NK60ZT4 816157636236431cd00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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