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STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4 STMicroelectronics

821899964947493cd00003175.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB6NK90ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 1000
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb6nk90zt4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
37+1.97 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb6nk90zt4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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57+1.26 EUR
500+1.22 EUR
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+5.21 EUR
39+3.71 EUR
40+3.51 EUR
100+2.45 EUR
250+2.33 EUR
500+1.82 EUR
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.90 EUR
10+4.25 EUR
100+3.00 EUR
500+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics stb6nk90zt4-1850204.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.42 EUR
10+4.59 EUR
100+3.24 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.50 EUR
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NK90ZT4 Hersteller : ST en.CD00003175.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.80 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STB6NK90ZT4 Hersteller : STMicroelectronics 821899964947493cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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