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STB75NF75T4

STB75NF75T4 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB75NF75T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+2.65 EUR
2000+2.49 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1995 Stücke:
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198+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMICROELECTRONICS ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 522 Stücke:
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100+3.4 EUR
500+2.83 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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3+7.38 EUR
10+4.83 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMICROELECTRONICS ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
45+5.27 EUR
100+3.4 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.96 EUR
2000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 522 Stücke:
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100+3.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
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50+4.21 EUR
100+3.76 EUR
200+2.77 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
auf Bestellung 1054 Stücke:
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1+7.27 EUR
10+3.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.59 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.38 EUR
10+4.83 EUR
50+3.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.8 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 522 Stücke:
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29+8.68 EUR
45+5.27 EUR
100+3.4 EUR
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