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STB75NF75T4

STB75NF75T4 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STB75NF75T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+2.68 EUR
2000+2.52 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.34 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMICROELECTRONICS SGSTS28063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.51 EUR
500+3.11 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics 1309577303091731cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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41+5.99 EUR
50+4.26 EUR
100+3.8 EUR
200+2.81 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.32 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
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1+7.27 EUR
10+4.76 EUR
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1000+2.51 EUR
2000+2.34 EUR
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STB75NF75T4 STB75NF75T4 STMICROELECTRONICS SGSTS28063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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32+7.93 EUR
43+5.45 EUR
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STB75NF75T4
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.99 EUR
2000+1.88 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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2000+2.52 EUR
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1000+2.68 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 760 Stücke:
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100+3.51 EUR
500+3.11 EUR
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auf Bestellung 1892 Stücke:
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41+5.99 EUR
50+4.26 EUR
100+3.8 EUR
200+2.81 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STB75NF75T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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500+2.74 EUR
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10+4.76 EUR
100+3.33 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 737 Stücke:
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