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Technische Details STB80N20M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Mdmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STB80N20M5 nach Preis ab 4.75 EUR bis 11.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STB80N20M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V |
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STB80N20M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STB80N20M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB80N20M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STB80N20M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STB80N20M5 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB80N20M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V |
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