STB8NM60T4 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 100W
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
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Technische Details STB8NM60T4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm.
Weitere Produktangebote STB8NM60T4 nach Preis ab 3.01 EUR bis 8.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STB8NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB8NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp |
auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB8NM60T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.38 EUR |
| 49+ | 4.78 EUR |
| 100+ | 4.2 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| STB8NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 8.27 EUR |
| 10+ | 3.8 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |