STB9NK60ZT4 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.1 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
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Technische Details STB9NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STB9NK60ZT4 nach Preis ab 2.46 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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STB9NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB9NK60ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB9NK60ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB9NK60ZT4 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB9NK60ZT4 Produktcode: 108646
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Hersteller : STMicroelectronics |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STB9NK60ZT4 | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STB9NK60ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: D2PAK |
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