STD100N10F7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsSTD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
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Technische Details STD100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STD100N10F7 nach Preis ab 1.05 EUR bis 4.1 EUR
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STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120 |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 3586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 120W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A |
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