STD100N3LF3 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Technische Details STD100N3LF3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.
Weitere Produktangebote STD100N3LF3 nach Preis ab 1.63 EUR bis 9.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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.jpg "STD100N3LF3") |
STD100N3LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | STMicroelectronics |
MOSFET N Ch 30V 0.0045 Ohm 80A |
auf Bestellung 3494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1685 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STD100N3LF3 | ST |
09+ SOP |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD100N3LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| STD100N3LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N Ch 30V 0.0045 Ohm 80A
MOSFET N Ch 30V 0.0045 Ohm 80A
auf Bestellung 3494 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
| 5000+ | 1.63 EUR |
| STD100N3LF3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.12 EUR |
| 45+ | 5.22 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| STD100N3LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| STD100N3LF3 |
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Hersteller: ST
09+ SOP
09+ SOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)