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STD100N3LF3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
auf Bestellung 2092 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 2.97 EUR |
| 10+ | 2.47 EUR |
| 100+ | 1.97 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 1000+ | 1.41 EUR |
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Technische Details STD100N3LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STD100N3LF3 nach Preis ab 1.37 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD100N3LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N Ch 30V 0.0045 Ohm 80A |
auf Bestellung 3494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N3LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STD100N3LF3 | Hersteller : ST |
09+ SOP |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD100N3LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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