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STD10NM60ND

STD10NM60ND STMicroelectronics

stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
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Technische Details STD10NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V.

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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics 14077916024011006.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics 14077916024011006.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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STD10NM60ND STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
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STD10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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