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STD10P6F6

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Produktcode: 171157
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
7500+0.61 EUR
12500+0.58 EUR
17500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
auf Bestellung 10735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 21977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STD10P6F6 STD10P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 48404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STD10P6F6 STD10P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 48404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD10P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
7500+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
auf Bestellung 10735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STD10P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 21977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STD10P6F6 SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD10P6F6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 48404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10P6F6 SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD10P6F6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 48404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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