
STD10P6F6 STMicroelectronics
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Anzahl | Preis |
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Technische Details STD10P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD10P6F6 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.02 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 13867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 67995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STD10P6F6 Produktcode: 171157
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