STD110N8F6 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 140+ | 1.10 EUR |
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Technische Details STD110N8F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote STD110N8F6 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.71 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
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