STD11N50M2 STMicroelectronics
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Technische Details STD11N50M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD11N50M2 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.01 EUR
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD11N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V |
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