STD11N65M2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.13 EUR |
| 102+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
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Technische Details STD11N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD11N65M2 nach Preis ab 1.05 EUR bis 5.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STD11N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD11N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD11N65M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD11N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 200+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 2000+ | 1.29 EUR |
| 2500+ | 1.05 EUR |
| STD11N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2500+ | 1.29 EUR |
| 5000+ | 1.25 EUR |
| STD11N65M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 48+ | 5.27 EUR |
| 75+ | 3.13 EUR |
| 102+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |



