Weitere Produktangebote STD11N65M5 nach Preis ab 1.31 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STD11N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD11N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD11N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD11N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STD11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STD11N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 135+ | 1.31 EUR |
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.42 EUR |
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.11 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.84 EUR |
| 10+ | 3.14 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 2500+ | 1.49 EUR |
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD11N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)