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STD14NM50NAG

STD14NM50NAG STMicroelectronics

std14nm50nag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details STD14NM50NAG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STD14NM50NAG nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMicroelectronics std14nm50nag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMicroelectronics std14nm50nag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2295 Stücke:
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76+2.32 EUR
84+2.08 EUR
100+1.7 EUR
200+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMICROELECTRONICS std14nm50nag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1800 Stücke:
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100+2.38 EUR
500+1.94 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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56+3.17 EUR
73+2.34 EUR
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500+1.43 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMicroelectronics std14nm50nag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.17 EUR
73+2.39 EUR
100+1.77 EUR
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1000+1.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMicroelectronics std14nm50nag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.64 EUR
100+2.03 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.62 EUR
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMicroelectronics std14nm50nag.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2429 Stücke:
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5+4.52 EUR
10+3.2 EUR
100+2.32 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STD14NM50NAG STD14NM50NAG STMICROELECTRONICS std14nm50nag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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54+4.68 EUR
70+3.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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STD14NM50NAG
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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76+2.32 EUR
84+2.08 EUR
100+1.7 EUR
200+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.38 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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1000+1.25 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.17 EUR
73+2.39 EUR
100+1.77 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.25 EUR
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10+2.64 EUR
100+2.03 EUR
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2500+1.44 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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5+4.52 EUR
10+3.2 EUR
100+2.32 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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