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STD150N3LLH6

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Produktcode: 100882
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.37 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
48+4.86 EUR
100+4.37 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMicroelectronics en.CD00218753.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMicroelectronics std150n3llh6-1850465.pdf MOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STD150N3LLH6 SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD150N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.37 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD150N3LLH6 SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD150N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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STD150N3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD150N3LLH6 std150n3llh6-1850465.pdf
STD150N3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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