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STD150N3LLH6

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Produktcode: 100882
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.37 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
48+4.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 STMicroelectronics std150n3llh6-1850465.pdf MOSFET POWER MOSFET
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STD150N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD150N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.32 EUR
48+4.86 EUR
100+4.37 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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STD150N3LLH6 std150n3llh6-1850465.pdf
STD150N3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET
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