Produkte > STMICROELECTRONICS > STD15N50M2AG
STD15N50M2AG

STD15N50M2AG STMicroelectronics


en.DM00173460.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.45 EUR
10+2.48 EUR
100+1.89 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STD15N50M2AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote STD15N50M2AG nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Hersteller : STMicroelectronics std15n50m2ag-1850587.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+2.60 EUR
100+1.85 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819055.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819055.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: STD15N50M2AG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Hersteller : STMicroelectronics std15n50m2ag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG Hersteller : STMicroelectronics std15n50m2ag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH