STD15N50M2AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.83 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.73 EUR |
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Technische Details STD15N50M2AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD15N50M2AG nach Preis ab 1.73 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STD15N50M2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD15N50M2AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 61+ | 4.12 EUR |
| 82+ | 2.83 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.73 EUR |