STD16N50M2 STMicroelectronics
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| 13+ | 4 EUR |
| 16+ | 3.33 EUR |
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| 500+ | 2.24 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| 2500+ | 1.77 EUR |
| 5000+ | 1.71 EUR |
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Technische Details STD16N50M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote STD16N50M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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STD16N50M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STD16N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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STD16N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD16N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD16N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
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STD16N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
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